Karbid křemíku SiC

Karbid křemíku je polovodičový materiál složený z uhlíkových a křemíkových prvků. Ve srovnání s nitridem gallia, nitridem hliníku, oxidem galia a dalšími materiály s šířkou zakázaného pásu větší než 2,2 eV je karbid křemíku (SiC) klasifikován jako polovodičový materiál s širokým pásmovým odstupem a v Číně je také známý jako polovodičový materiál třetí generace.

Odeslat dotaz

Popis

výhody karbidu křemíku

Vezmeme-li v úvahu pouze čipy z karbidu křemíku, má karbid křemíku ve srovnání s tradičními výkonovými čipy na bázi křemíku nesrovnatelné výhody v oblasti výkonových polovodičů: snese vyšší proudy a napětí, má vyšší spínací rychlosti, menší energetické ztráty a lepší vysokou teplotní výkon. Výkonový modul vyrobený z karbidu křemíku proto může odpovídajícím způsobem snížit počet součástí, jako jsou kondenzátory, induktory, cívky a komponenty pro odvod tepla, čímž je celý modul napájecího zařízení lehčí, šetří energii a má vyšší výstupní výkon a zároveň zvyšuje spolehlivost. . Tyto výhody jsou zřejmé.

Z hlediska terminálových aplikací byly materiály z karbidu křemíku široce používány ve vysokorychlostních železnicích, automobilové elektronice, inteligentních sítích, fotovoltaických invertorech, průmyslové elektromechanice, datových centrech, bílém zboží, spotřební elektronice, 5G komunikaci, displejích nové generace a dalších a tržní potenciál je obrovský. Jak uvnitř, tak vně tohoto odvětví rozpoznali obrovský aplikační potenciál karbidu křemíku v budoucnosti a vytvořili jeden po druhém, takže „zlatá stopa“ je hodna svého jména.

silicon carbide

Karbid křemíku vede budoucnost

Z aplikačního hlediska je karbid křemíku známý jako „zlatá stopa“, což není příliš mnoho.

V současné době, aby se maximalizovaly vlastnosti materiálů karbidu křemíku a nitridu galia, je ideálním řešením epitaxní růst na monokrystalických substrátech karbidu křemíku. To znamená, že epitaxiální vrstva karbidu křemíku se pěstuje na povrchu karbidu křemíku pro výrobu energetických zařízení; Epitaxní vrstva nitridu galia narostlá na karbidu křemíku může být použita k výrobě zařízení se středním a nízkým napětím a vysokofrekvenčním napájením (méně než 650 V), vysokovýkonných mikrovlnných RF zařízení a optoelektronických zařízení. Tato metoda je v současnosti široce používána při výrobě čipů z karbidu křemíku a nitridu galia.

silicon carbide

kontakt

Soyee Cheng

ZHEN AN INTERNATIONAL CO.,LTD

Mobilní:+86-17737626416 (WhatsApp)

Emaill: soyee@zaferroalloy.com

Fax: +86-372-5055180

Web1: https://www.zaferroalloy.cn/

Web2: https://www.zanewmetal.com/

Sídlo: Huafu Business Center, okres Wenfeng, Anyang City, provincie Henan, Čína

Populární Tagy: Karbid křemíku sic, Čína karbid křemíku sic výrobci, dodavatelé, továrna